收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPL60R299CP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPL60R299CP

Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盘 5952
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IPL60R299CP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPL60R385CP Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPL76 Hammond Manufacturing PLINTH 700 X 600MM X 4" ...
IPL78 Hammond Manufacturing PLINTH 700 X 800MM X 4" ...
IPL60R199CP Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPL1-120-02-S-D-K Samtec Inc CONN SHROUDED PWR HEADER 40POS ...
IPL1-120-01-L-D-RA-K Samtec Inc CONN SHROUDED PWR HEADER 40POS ...

IPL60R299CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):299 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 100V
功率 - 最大值:96W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别