收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI50CN10NG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI50CN10NG

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI50CN10NG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI50N10S3L-16 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI50R140CP Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI50R199CP Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 500V 17A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI47N10SL-26 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI47N10S-33 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI45P03P4L-11 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPI50CN10NG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1090pF @ 50V
功率 - 最大值:44W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别