收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI45P03P4L-11
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI45P03P4L-11

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI45P03P4L-11相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI47N10S-33 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI47N10SL-26 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI50CN10NG Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI45N06S4L-08 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI45N06S4-09 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI45N06S3L-13 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPI45P03P4L-11参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11.1 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3770pF @ 25V
功率 - 最大值:58W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别