收藏本站

闁荤姳闄嶉崹濂稿窗濮椻偓閹姤鎷呴崘顏呪枔闂佹寧鍐婚幏锟�0755-83217923 闂佸憡绮岄張顒勫垂濠婂牆纭€闁惧浚鍋呴ˇ褍霉濠у灝鈧盯鎯冮敓锟�
首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IKW25T120
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IKW25T120

Infineon Technologies TO-247-3 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923
询价QQ:闂佸憡绮岄張顒勫垂濠婂牆纭€闁惧浚鍋呴ˇ褍霉濠у灝鈧盯鎯冮敓锟�
简述:IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

与IKW25T120相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IKW30N60H3 Infineon Technologies TO-247-3 173 IGBT 600V 60A 187W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKW30N60T Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 600V 60A 187W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKW30N60TA Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKW25N120T2 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 50A 349W TO247-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...
IKW25N120H3 Infineon Technologies TO-247-3 210 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IKW20N60TA Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 600V 40A 166W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...

IKW25T120参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

IGBT 类型:NPT、沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.2V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
功率 - 最大:190W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别