| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IKW25N120H3 |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 210 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IKW25N120T2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 349W TO247-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, ... | |
| IKW25T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 | IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120... | |
| IKW30N60H3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 173 | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| IKW20N60TA | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 166W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| IKW20N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 166W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| IKW20N60H3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 158 | IGBT 600V 40A 170W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
