| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IHW30N110R3 |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 240 | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1100V 30A 330W TO247-3 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IHW30N120R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 | IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120... | |
| IHW30N160R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 | IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160... | |
| IHW30N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| IHW30N100T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V V... | |
| IHW30N100R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V V... | |
| IHW25N120R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 365W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... |
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