| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IHW30N100T |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IHW30N110R3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 240 | IGBT 1100V 30A 330W TO247-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1100V Vge, ... |
| IHW30N120R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 | IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120... | |
| IHW30N160R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 | IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160... | |
| IHW30N100R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V V... | |
| IHW25N120R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 365W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| IHW20T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 1200V 40A 178W TO247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... |
