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首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > HSG1002VE-TL-E
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HSG1002VE-TL-E

Renesas Electronics America 4-SMD,鸥翼型
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简述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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HSG1002VE-TL-E参数资料


晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):3.5V
频率 - 转换:38GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益:8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35mA
安装类型:表面贴装

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