收藏本站

首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > HSF-1-100-68R0-K-LF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HSF-1-100-68R0-K-LF

TT Electronics/IRC 2512(6432 公制)
询价QQ:
简述:RES HIGH SURGE 68.0 OHM 1W 2512
参考包装数量:1
参考包装形式:

与HSF-1-100-68R0-K-LF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HSF-1-100-6R80-K-LF TT Electronics/IRC 2512(6432 公制) RES HIGH SURGE 6.80 OHM 1W 2512 电阻(欧姆):6.8 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:- 温度系数:&p...
HSG1002VE-TL-E Renesas Electronics America 4-SMD,鸥翼型 IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3.5V 频率 - 转换...
HSG-115V-650 Panduit Corp TOOL GUN HEAT SHRINK HI TEMP 10A ...
HSF-1-100-5R90-K-LF TT Electronics/IRC 2512(6432 公制) RES HIGH SURGE 5.90 OHM 1W 2512 电阻(欧姆):5.9 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:- 温度系数:&p...
HSF-1-100-27R0-K-LF TT Electronics/IRC 2512(6432 公制) 9000 RES HIGH SURGE 27.0 OHM 1W 2512 电阻(欧姆):27 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:- 温度系数:&pl...
HSF-1-100-2700-K-LF TT Electronics/IRC 2512(6432 公制) 3000 RES HIGH SURGE 270 OHM 1W 2512 电阻(欧姆):270 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:- 温度系数:&p...

HSF-1-100-68R0-K-LF参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):68
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:-
温度系数:±100ppm/°C
容差:±10%

最近更新

型号类别