收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > HGTG12N60C3D
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HGTG12N60C3D

Fairchild Semiconductor TO-247-3 0+1800
询价QQ:
简述:IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247
参考包装数量:150
参考包装形式:管件

与HGTG12N60C3D相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HGTG18N120BN Fairchild Semiconductor TO-247-3 IGBT NPT N-CH 1200V 54A TO-247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
HGTG18N120BND Fairchild Semiconductor TO-247-3 703 IGBT NPT N-CHAN 1200V 54A TO-247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
HGTG20N60A4 Fairchild Semiconductor TO-247-3 111 IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTG12N60B3 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT UFS N-CHAN 600V 27A TO-247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTG12N60A4D Fairchild Semiconductor TO-247-3 6466 IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTG12N60A4 Fairchild Semiconductor TO-247-3 IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

HGTG12N60C3D参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.2V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):24A
功率 - 最大:104W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别