型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
---|---|---|---|---|---|
GL453E00000F |
Sharp Microelectronics | 径向 | 询价QQ: |
||
简述:EMITTER IR 950NM .85MW BI-DIR TH 参考包装数量:2000 参考包装形式:- |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
---|---|---|---|---|---|
GL480 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:0.... | |
GL4800 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:0.... | |
GL4800E0000F | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:0.... | |
GL4100E0000F | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 2.0MW TH | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:1m... | |
GL4100 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 2.0MW TH | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:1m... | |
GL390V | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 9MW T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:13... |