| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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GL4100E0000F |
Sharp Microelectronics | 径向 | 询价QQ： |
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| 简述：EMITTER IR 950NM 2.0MW TH 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| GL453E00000F | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM .85MW BI-DIR TH | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：1.... | |
| GL480 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：0.... | |
| GL4800 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：0.... | |
| GL4100 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 2.0MW TH | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：1m... | |
| GL390V | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 9MW T/H | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：13... | |
| GL390 | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 950NM 7MW T/H | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：16... |
