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FQD2N90TF

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQD2N90TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+15000 MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD2P40TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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FQD2N80TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQD2N90TF参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.2 欧姆 @ 850mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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