| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FQD2N80TF |
Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK 参考包装数量：2000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FQD2N80TM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 25000+5000 | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQD2N80TM_WS | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQD2N90TF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQD2N60TM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQD2N60TF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQD2N60CTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500+20000 | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
