| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FQB34N20TM_AM002 |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FQB34P10TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQB34P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+31200 | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQB3N25TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB34N20LTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FQB33N10TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1214 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQB33N10LTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
