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FQB33N10TM

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1214
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简述:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
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FQB33N10TM参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:表面贴装

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