收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQB11N40TM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQB11N40TM

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQB11N40TM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQB11P06TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB12N50TM_AM002 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB12N60CTM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB11N40CTM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB10N60CTM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB10N50CFTM_WS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+2400 MOSFET N-CH 500V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQB11N40TM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别