| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FQB10N50CFTM_WS |
Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+2400 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 500V 10A DPAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB10N60CTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB11N40CTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB11N40TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB10N20TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB10N20LTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB10N20CTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
