收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQA170N06
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQA170N06

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+450
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FQA170N06相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQA17N40 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA17P10 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA18N50V2 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA16N50 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA16N25C Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA160N08 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQA170N06参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):170A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 85A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):290nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9350pF @ 25V
功率 - 最大值:375W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别