收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQA160N08
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQA160N08

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FQA160N08相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQA16N25C Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA16N50 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA170N06 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+450 MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA14N30 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA140N10 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 278+900 MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA13N80_F109 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 388+4500 MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQA160N08参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):160A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):290nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7900pF @ 25V
功率 - 最大值:375W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别