收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > FGP5N60UFDTU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FGP5N60UFDTU

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:IGBT 10A 600V TO-220
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

与FGP5N60UFDTU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FGPF120N30TU Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 IGBT PDP 300V 120A TO-220F IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGPF30N30 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 IGBT PDP 300V 80A TO-220F IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGPF30N30DTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 IGBT PDP 300V 30A TO-220F IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGP5N60LS Fairchild Semiconductor TO-220-3 2159 IGBT 600V 10A 83W TO220 IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
FGP40N6S2 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGP30N6S2D Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

FGP5N60UFDTU参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,5A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
功率 - 最大:81W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别