收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDZ7064N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDZ7064N

Fairchild Semiconductor 30-WFBGA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDZ7064N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDZ7296 Fairchild Semiconductor 18-WFBGA MOSFET N-CH 30V 11A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FE1000-48NA TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY COMPACT RACK MOUNT ...
FE-1500-48-NA TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY 1500W 48V 32A ...
FDZ7064AS Fairchild Semiconductor 30-WFBGA MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ663P Fairchild Semiconductor 4-XFBGA 0+20000 MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP 0+10000 MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDZ7064N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3843pF @ 15V
功率 - 最大值:2.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别