收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDZ663P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDZ663P

Fairchild Semiconductor 4-XFBGA 0+20000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDZ663P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDZ7064AS Fairchild Semiconductor 30-WFBGA MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ7064N Fairchild Semiconductor 30-WFBGA MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ7296 Fairchild Semiconductor 18-WFBGA MOSFET N-CH 30V 11A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP 0+10000 MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ5047N Fairchild Semiconductor 36-VFBGA MOSFET N-CH 30V 22A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ493P Fairchild Semiconductor 9-WFBGA MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDZ663P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):134 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):525pF @ 10V
功率 - 最大值:400mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别