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FDV303N

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 156000
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简述:MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDV303N_NB9U008 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDV304P Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 33000 MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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FDV302P Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 36000 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDV303N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):680mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装

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