| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDV302P_NB8V001 |
Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDV303N | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 156000 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDV303N_NB9U008 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDV304P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 33000 | MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDV302P_D87Z | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FDV302P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36000 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDV301N_NB9V005 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
