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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDS6911
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FDS6911

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FDS6912A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6930A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 521 MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
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FDS6911参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1130pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

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