收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDS6910
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS6910

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 18335
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:

与FDS6910相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS6911 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6912 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+10000 MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6912A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6900AS Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+2500 MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6898AZ_F085 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4874 MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6898AZ Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500 MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDS6910参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1130pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别