收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS6690A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS6690A

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS6690A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS6690AS Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4022 MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6692A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6694 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6689S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6688S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6688AS Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14.5A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS6690A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.5 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1205pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别