收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS6688AS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS6688AS

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 14.5A SO-8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与FDS6688AS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS6688S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6689S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6690A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6688 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6685 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6682 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+2500 MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS6688AS参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2510pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别