收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDMQ8203
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMQ8203

Fairchild Semiconductor 12-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMQ8203相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMQ8403 Fairchild Semiconductor 12-WDFN 裸露焊盘 5950+3000 MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP FET 型:4 个 N 通道(H 桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vd...
FDMS015N04B Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS0308CS Fairchild Semiconductor Power56 MOSFET N-CH 30V POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDML7610S Fairchild Semiconductor 8-MLP MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMJ1032C Fairchild Semiconductor SC-75 MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDMJ1028N Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CHANNEL FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDMQ8203参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):100V,80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A,2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:210pF @ 50V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别