收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDMJ1028N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMJ1028N

Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CHANNEL
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMJ1028N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMJ1032C Fairchild Semiconductor SC-75 MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDML7610S Fairchild Semiconductor 8-MLP MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMQ8203 Fairchild Semiconductor 12-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥) FET 特点:逻辑电...
FDMJ1027P Fairchild Semiconductor - MOSFET P-CH 20V 3.2A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor SC-75 MOSFET P-CH DUAL 20V 2.9A SC75 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMF8705 Fairchild Semiconductor 56-MLP IC MODULE DRIVER/FET POWER88-56 类型:高端/低端驱动器 输入类型:PWM 输出数:1 导通状态电阻:- 电流 -...

FDMJ1028N参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:200pF @ 10V
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别