收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDMA430NZ
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMA430NZ

Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMA430NZ相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMA507PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 6000+156000 MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA510PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA520PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 10727 MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA420NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 30000 MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA410NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA3028N Fairchild Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDMA430NZ参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 10V
功率 - 最大值:2.4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别