收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDMA3028N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMA3028N

Fairchild Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMA3028N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMA410NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA420NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 30000 MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA430NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA3023PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 12000 MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA291P Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 0+318000 MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA2002NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 39000 IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDMA3028N参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:68 毫欧 @ 3.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:375pF @ 15V
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别