收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDFMA3N109
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDFMA3N109

Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
参考包装数量:1
参考包装形式:

与FDFMA3N109相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDFME2P823ZT Fairchild Semiconductor 6-UMLP,6-MicroFET? 0+5000 MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFME3N311ZT Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMJ2P023Z Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMA2P859T Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMA2P857 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 19097 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

FDFMA3N109参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):123 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):220pF @ 15V
功率 - 最大值:650mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别