收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDFMA2P859T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDFMA2P859T

Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 3000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDFMA2P859T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDFMA3N109 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFME2P823ZT Fairchild Semiconductor 6-UMLP,6-MicroFET? 0+5000 MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFME3N311ZT Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMA2P857 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 19097 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
FDFMA2P853 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

FDFMA2P859T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):435pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别