| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FDB039N06 |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 参考包装数量：1 参考包装形式： |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB045AN08A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 7795 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800+1600 | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDB047N10 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 6400+1600 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB035N10A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDB035AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 8000+167200 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDB031N08 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 6400+32000 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
