| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDB035AN06A0 |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 8000+167200 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDB035N10A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDB039N06 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FDB045AN08A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 7795 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB031N08 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 6400+32000 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB029N06 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB024N06 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 12800 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
