| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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EPC2007 |
EPC | 模具剖面（5 焊条） | 询价QQ： |
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| 简述：TRANS 100V 30MO BUMPED DIE 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| EPC2010 | EPC | 7-SMD，凸引线 | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电... | |
| EPC2012 | EPC | 模具 | 4000 | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电... |
| EPC2014 | EPC | 5-LGA | 1000 | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电... |
| EPC2001 | EPC | 模具剖面（11 焊条） | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电... | |
| EPC1PI8N | Altera | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 90 | IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8-DIP | 可编程类型：OTP 存储容量：1Mb 电源电压：3 V ~ 3.6 V，4.5 ... |
| EPC1PI8 | Altera | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 115 | IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8-DIP | 可编程类型：OTP 存储容量：1Mb 电源电压：3 V ~ 3.6 V，4.5 ... |
