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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > EMD29T2R
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EMD29T2R

Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666
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简述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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EMD29T2R参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA,500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V,12V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):1k,10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz,260MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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