收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > EMD12T2R
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

EMD12T2R

Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 8000
询价QQ:
简述:TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与EMD12T2R相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
EMD22T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 16000 TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
EMD29T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
EMD2T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
EMD Apex Tool Group TIP REPLACEMENT CONICAL .015" ...
EMCBL60E Freescale Semiconductor MCU FLEX CABLE ...
EMC70DRST-S273 Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD ...

EMD12T2R参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):68 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别