收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMP2039UFDE-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMP2039UFDE-7

Diodes Inc 6-XDFN 3000
询价QQ:
简述:MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMP2039UFDE-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMP2066LDM-7 Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2066LSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP2066LSN-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2039UFDE4-7 Diodes Inc 6-XDFN 5950 MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2035UVT-7 Diodes Inc SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 185 MOSFET P CH 20V 6A TSOT26 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2035UTS-13 Diodes Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 5000 MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

DMP2039UFDE-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48.7nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2530pF @ 15V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别