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DMN65D8LFB-7B

Diodes Inc 3-XFDFN 10000
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简述:MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMN65D8LFB-7B参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 115mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):25pF @ 25V
功率 - 最大值:430mW
安装类型:表面贴装

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