收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMN62D0SFD-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMN62D0SFD-7

Diodes Inc 3-UDFN 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMN62D0SFD-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN63D8LV-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH 30V DUAL SOT563 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMN65D8L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V DUAL SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN65D8LDW-7 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMN62D0LFB-7B Diodes Inc 3-UFDFN 10000 MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN6068SE-13 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN6068LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12500 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN62D0SFD-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):540mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30.2pF @ 25V
功率 - 最大值:430mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别