| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN6040SVT-7 |
Diodes Inc | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 293 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN6066SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN6068LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 12500 | MOSFET N-CH 60V 6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN6068SE-13 | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN6040SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN6040SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N CH 60V 5A SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN6040SFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
