| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN601VK-7 |
Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 4813 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN601WK-7 | Diodes Inc | SC-70，SOT-323 | 12000 | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN6040SFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN6040SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N CH 60V 5A SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN601TK-7 | Diodes Inc | SOT-523 | 6000 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN601K-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN601DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
