| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN5L06K-7 |
Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN5L06T-7 | Diodes Inc | SOT-523 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN5L06TK-7 | Diodes Inc | SOT-523 | 6000 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN5L06V-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN5L06DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 12000 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
