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DMN4800LSS-13

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMN4800LSS-13参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.47nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):798pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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