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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > DMN4027SSD-13
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DMN4027SSD-13

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 34492 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8
参考包装数量:1
参考包装形式:

与DMN4027SSD-13相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN4027SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 6A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN4030LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN4031SSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 6355 MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMN4015LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 7500 MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN4009LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 21894 MOSFET N-CH 40V 18A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3730UFB-7 Diodes Inc 3-UFDFN 3000 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

DMN4027SSD-13参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:27 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:12.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:604pF @ 20V
功率 - 最大:1.8W
安装类型:表面贴装

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