收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMN3052L-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMN3052L-7

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMN3052L-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN3052LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3110S-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3112S-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3051L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3050S-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3033LSN-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN3052L-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):555pF @ 5V
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别