| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN26D0UFB4-7 |
Diodes Inc | 3-XFDFN | 15000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 20V 230MA DFN 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN26D0UT-7 | Diodes Inc | SOT-523 | 9000 | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2990UDJ-7 | Diodes Inc | SOT-963 | 20000 | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2990UFA-7B | Diodes Inc | 3-XFDFN | 10000 | MOSFET N CH 20V 510MA | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN26D0UDJ-7 | Diodes Inc | SOT-963 | 10000 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2500UFB4-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | 3000 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2400UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 48000 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
